Исследование сильных и слабых сторон устройств с широкой запрещенной зоной в электроприводах переменного тока

Широкозонные материалы стали пионерами в эпоху силовых устройств, изменив производительность и эффективность электронных систем. Кремний, традиционный полупроводниковый материал, имеет ограничения, которые становятся очевидными по мере роста требований к питанию. Материалы WBG, такие как карбид кремния и нитрид галлия, обладают высокой частотой переключения, низкими потерями и способностью работать при высоких температурах, что делает их идеальным выбором для силовых устройств.

Эта характеристика приводит к снижению потерь энергии и повышению удельной мощности, что делает устройства WBG идеальными для таких применений, как преобразователи мощности и инверторы в электромобилях и системах возобновляемых источников энергии. Уникальные электрические свойства материалов WBG открывают путь к созданию более компактной, легкой и эффективной силовой электроники, способствуя переходу к более экологичному и устойчивому энергетическому ландшафту. 

Кроме того, использование материалов ГВБ в силовых устройствах имеет глубокие последствия для аэрокосмической и телекоммуникационной отраслей. Высокочастотные возможности полупроводников WBG позволяют создавать более эффективную и компактную силовую электронику в спутниковых системах и устройствах связи. 

Благодаря неустанному спросу на миниатюризацию и повышение производительности материалы WBG служат катализаторами технологических достижений, продвигая отрасли в новую эру энергоэффективных и высокоскоростных электронных решений. Поскольку исследования и разработки в области материалов ГВБ продолжают процветать, интеграция этих материалов в силовые устройства может переопределить возможности и эффективность электронных систем в различных секторах.

Исследование превосходства и роли устройств WBG в моторных приводах

 

Моторные приводы, основной строительный блок электромеханических систем, являются сердцем, обеспечивающим бесшовное соединение машин и устройств. Моторные приводы регулируют скорость, крутящий момент и направление работы электродвигателей, преобразуя электрическую энергию в точное механическое движение, поэтому важно, чтобы эти приводы имели максимальную эффективность и точность. В результате устройства WBG интегрируются в электроприводы для многочисленных применений, таких как работа высокоскоростных двигателей, двигателей с низкой индуктивностью и электроприводов, работающих при высоких температурах. Например, двигатели с низкой индуктивностью могут использовать Si MOSFET, поскольку они способны переключаться на частоте до 50 кГц и обеспечивать желаемую пульсацию тока, что в конечном итоге повышает надежность и эффективность. Традиционным материалам, таким как кремний, не хватает необходимого критического электрического поля, как показано на рисунке 1, что делает устройства WBG идеальным выбором для электроприводов.

 

image 

Рисунок 1: Сравнение ключевых электрических параметров широкозонных материалов и кремния.

 

С другой стороны, популярность высокоскоростных электрических машин растет главным образом из-за их превосходной удельной мощности, что становится возможным за счет интеграции двигателя с компрессором через коробку передач. Поэтому были приняты во внимание высокочастотные способности SiC Mosfets, что в конечном итоге позволило двигателю работать на той же скорости, что и компрессор, тем самым исключив коробку передач. Одно только это нововведение повысило надежность и эффективность приводов на основе GaN примерно на 4 процента по сравнению с традиционными двигателями на основе Si. 

Полупроводники с более широкой запрещенной зоной могут работать при высоких температурах по сравнению с обычным кремнием. Интегрированные моторные приводы набирают большую популярность, поскольку они напрямую заменяют неэффективные онлайн-двигатели с прямым приводом, однако, поскольку преобразователь и двигатель находятся в непосредственной близости, температура находится на рекордно высоком уровне. Таким образом, разработка силовых модулей WBG с блокировкой высоких частот и обратного напряжения оказалась идеальным выбором для высокотемпературных приложений, таких как IMD.

Преодоление препятствий на пути к раскрытию максимального потенциала устройств с широкой запрещенной зоной в системах электропривода

 

Устройства с широкой запрещенной зоной оказались полезными для высокотемпературных, высокоскоростных двигателей с низкой индуктивностью, однако эти устройства генерируют значительные электромагнитные помехи, которые увеличиваются с увеличением частоты переключения. Сравнение характеристик кондуктивных электромагнитных помех для различных устройств с широкой запрещенной зоной показано на рисунке 2. Это ясно показывает, что во время переходных процессов в инверторе SiC JFET возбуждаются паразитные колебания, которые являются основным виновником шумовых характеристик и низкого КПД. 

 

image 

Рис. 2. Сравнение электромагнитных помех SiC MOSFET и электроприводов на базе Si IGBT.

 

Для решения этой проблемы для устройств WBG применяется несколько инновационных топологий подавления напряжения и фильтрации CM, которые значительно уменьшают образование электромагнитных помех. Кроме того, используется интеграция конфигурации статора с двойной обмоткой и топологии инвертора, как показано на рисунке 3. Этот метод специально настроен. для приводов двигателей с ШИМ с симметричными схемами компенсирует дополнительное напряжение CM, тем самым уменьшая общие электромагнитные помехи в системе.

 

image 

Рис. 3. Топология инвертора с подавлением напряжения новой конструкции CM с двухобмоточным статором.

Заключение

 

Устройства WBG служат важным инструментом для широкого спектра применений приводов двигателей, оказываясь особенно выгодными для двигателей с низкой индуктивностью, высокоскоростных двигателей и операций в высокотемпературных средах. Приложения с электроприводом значительно выиграют от внедрения устройств WBG, демонстрируя улучшение удельной мощности, динамического отклика и общей энергоэффективности. Однако для реализации максимального потенциала устройств WBG требуется сложная конструкция преобразователя. В частности, жизненно важно включение правильно спроектированных драйверов затворов, обеспечивающих быстрое переключение с минимальными перерегулированиями и потерями. 

Кроме того, конструкция преобразователя должна решать такие задачи, как минимизация паразитной индуктивности в контуре коммутации и реализация быстрой защиты от короткого замыкания для переключателей WBG. Эти соображения имеют решающее значение для оптимизации производительности и использования всех преимуществ устройств WBG в системах моторного привода.

Чтобы оправдать более высокую стоимость устройств с широкой полосой пропускания и полностью использовать их, их необходимо быстро переключать. Однако эти высокие скорости приводят к усилению электромагнитных помех. Это высокое изменение напряжения в двигателе также вызывает возникновение тока, называемого синфазным, который может повредить изоляцию двигателя. Если мы решим переключать устройства WBG на гораздо более медленных скоростях, это сохранит совместимость со стандартами изоляции, используемыми сегодня в двигателях. Таким образом, мы можем использовать методы управления электромагнитными помехами, аналогичные тем, которые мы используем в современных приводах на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором. Однако компромисс заключается в том, что более низкие скорости означают, что мы не в полной мере используем преимущества мощности и эффективности, которые предлагают устройства WBG, которые имеют решающее значение для уравновешивания более высокой стоимости этих устройств. Поэтому вводятся новые и инновационные технологии, такие как интеграция топологии инвертора и статора с двойной обмоткой, для уменьшения генерации электромагнитных помех при более высоких скоростях и напряжениях.



Related Articles

Разборка и анализ каждого компонента импульсного источника питания

Release time:2023-12-28       Page View:135
Импульсный источник питания (сокращенно SMPS), также известный как импульсный источник питания, импульсный преобразователь, представляет собой высокочастотное устройство преобразования энергии...

Руководство по микросхеме зарядного устройства

Release time:2023-12-28       Page View:118
Основным компонентом зарядного устройства является ИС зарядного устройства, также известная как ИС зарядного устройства аккумулятора.Он играет жизненно важную роль в процессе зарядки.Микросхем...

Отладка импульсного блока питания: 10 наиболее распространенных проблем

Release time:2023-12-27       Page View:109
Привет всем, я Роуз.Сегодня я расскажу вам о 10 распространенных проблемах, связанных с отладкой SMPS.Импульсный источник питания (сокращенно SMPS), также известный как импульсный источник питания,...

QUIC: протокол связи следующего поколения

Release time:2023-12-27       Page View:93
Привет всем, я Роуз.Сегодня я познакомлю вас с QUIC.QUIC (Quick UDP Internet Connection) — это протокол транспортного уровня Интернета с малой задержкой на основе UDP, разработанный Google.Темы, затронутые в это...

Что такое межинтегральная схема (I2C)?

Release time:2023-12-27       Page View:187
Привет всем, я Роуз.Сегодня я познакомлю вас с I2C.Шина I2C — это простая двунаправленная двухпроводная синхронная последовательная шина, разработанная Philips.Для передачи информации между устройст...

Аналого-цифровые преобразователи (АЦП): разрешение расшифровки и частота дискретизации

Release time:2023-12-27       Page View:128
Разрешение и частота дискретизации — два важных фактора, которые следует учитывать при выборе аналого-цифрового преобразователя (АЦП).Чтобы полностью понять это, необходимо в некоторой степени по...

Шум импульсного регулятора: всестороннее понимание и анализ

Release time:2023-12-27       Page View:120
Пульсации переключения, широкополосный шум и высокочастотные выбросы — все это типы шума, встречающиеся в импульсных стабилизаторах, как описано в этой статье.Кроме того, в этой статье будет обсуж...

Основное руководство по преобразователю AC/DC, DC/DC

Release time:2023-12-25       Page View:139
Привет всем, я Роуз.Добро пожаловать в новый пост сегодня.В этой статье в основном представлены определения переменного и постоянного тока, преобразователя переменного/постоянного тока, а также п...

Контактор переменного тока: что такое самоблокирующийся?

Release time:2023-12-22       Page View:126
В контакторах переменного тока часто используются три метода гашения дуги: гашение электрической дуги двойным разрывом, гашение дуги продольного шва и гашение дуги сеткой.Он используется для уст...

Как выбрать MOSFET для импульсного источника питания?

Release time:2023-12-22       Page View:281
Металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) — это полевой транзистор, который может широко использоваться в аналоговых и цифровых схемах. Эта статья поможет вам выбрать MOSFET д...

Meta-Vision для датчиков изображения CMOS: за пределами человеческого глаза

Release time:2023-12-16       Page View:144
Привет всем, я Роуз. Сегодня я познакомлю вас с своеобразным датчиком. Это датчик изображения CMOS. Датчик изображения CMOS — это типичный твердотельный датчик изображения, имеющий общее историчес...

ARM, FPGA, DSP и CPLD: связь и разница

Release time:2023-12-16       Page View:210
Привет всем, я Роуз. Добро пожаловать в новый пост сегодня. Я уверен, что вы знаете, что такое ARM, FPGA, DSP и CPLD. Но знаете ли вы их связь и различие? Позвольте мне представить вам.Темы, затронутые в...
RFQ
BOM