MOSFET Trench 2N7002P
2N7002P Descrizione
Un MOSFET in modalità di miglioramento a canale N chiamato 2N7002P è stato creato utilizzando la tecnologia Trench MOSFET ed è alloggiato in un contenitore compatto di plastica a montaggio superficiale. Può essere utilizzato in circuiti di commutazione, interruttori di carico low-side, interruttori di linea ad alta velocità e driver di relè. Modalità di miglioramento per transistor a effetto di campo (FET) a canali N in un piccolo imballaggio in plastica SMD (dispositivo a montaggio superficiale) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET trench.
Pinatura 2N7002P
La figura seguente è la piedinatura del 2N7002P.
Piedinatura
| Codice PIN | Nome del perno | Descrizione |
| 1 | G | Cancello |
| 2 | S | Fonte |
| 3 | D | Drenare |
Caratteristiche 2N7002P
Compatibile a livello logico
Commutazione molto veloce
Tecnologia Trench MOSFET
Qualificato AEC-Q101
Specifiche
| Caratteristica | Valore |
| Tipo | Canale N |
| Pacchetto | TO-92 |
| Tensione Drain-Source | 60 V |
| Tensione gate-source | ±20 V |
| Tensione di soglia del gate | 3 V massimo. |
| Massimo. Corrente di scarico continua | 115 mA |
| Massimo. Corrente di scarico - Pulsata | 800 mA |
| Massimo. Temperatura di giunzione | 'da -55 °C a 150 °C |
| Massimo. RDS(ON) (VGS = 10 V, ID = 500 mA) | 7,5 Ohm |
| Massimo. dissipazione di potenza | 200 mW |
Informazioni sul test 2N7002P
Definizione del ciclo di lavoro
Equivalente a 2N7002P
BS170, 2N7000, NDS7002A (versione SMD), IRFZ44, IRF540N e IRF3205 sono l'equivalente MOSFET a canale N 2N7002.
Alternative 2N7002P
| Numero di parte | Descrizione | Produttore |
| 2N7002P,215TRANSISTORI | MOSFET Trench a canale N TO-236 a 3 pin da 60 V, 360 mA | Semiconduttori NXP |
| 2N7002K-TP-HFTRANSISTORI | Transistor a effetto di campo per piccoli segnali, 0,34AI(D), 60 V, 1 elemento, canale N, silicio, semiconduttore a ossido di metallo FET, | Componenti microcommerciali |
| 934064132215TRANSISTORI | Transistor a effetto di campo per piccoli segnali, 0,36AI(D), 60V, 1 elemento, canale N, silicio, FET semiconduttore a ossido di metallo, TO-236AB | Nexperia |
| 2N7002K-TPRANSISTORI | Transistor a effetto di campo per piccoli segnali, 0,34AI(D), 60 V, 1 elemento, canale N, silicio, semiconduttore a ossido di metallo FET, PLASTIC PACKAGE-3 | Componenti microcommerciali |
Applicazioni 2N7002P
Driver del relè
Driver di linea ad alta velocità
Interruttore di carico lato basso
Circuiti di commutazione
Settore automobilistico
Gestione energetica
Industriale
FAQ
1.Che tipo di transistor è il 2N7002P?
2N7002P è un MOSFET di potenziamento a canale N SMD. È ideale per applicazioni di commutazione a bassa potenza come piccole lampade, relè e motori. I MOSFET sono un tipo di transistor progettato per funzionare in condizioni in cui la velocità di commutazione e l'efficienza devono essere elevate. Sono utilizzati per applicazioni quali alimentatori e convertitori.
2.Il 2N7002 è un Mosfet di potenza?
No, 2N7002 non è un MOSFET di potenza a causa delle sue caratteristiche di bassa corrente/tensione e del pacchetto TO-92. È equivalente a un transistor di commutazione ma con potenze leggermente superiori. MOSFET come FQP30N06L è chiamato MOSFET di potenza.
3.2N7002P è a livello logico?
Sì, 2N7002P è un MOSFET a livello logico. Grazie alla bassa tensione di soglia del gate di 2,5 V (VDS = VGS, ID = 1 mA). Ciò significa che può accendersi completamente utilizzando il livello logico (3,3 V O 5 V) di un microcontrollore.
4.Qual è la tensione operativa massima per il 2N7002P?
La tensione operativa massima da drain a source del MOSFET 2N7002P è 60 V e la tensione da gate a source è 20 V.
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