Transistors bipolaires RF BFU590GX
BFU590GX Aperçu
Transistor hyperfréquence en silicium NPN pour applications haute vitesse et puissance moyenne dans un boîtier SOT223 en plastique à 4 broches. Le BFU590G fait partie de la famille de transistors BFU5, adapté aux applications de petits signaux à moyennes puissances jusqu'à 2 GHz.
BFU590GX Caractéristiques et avantages B
Transistor RF de puissance moyenne, haute linéarité et haute tension de claquage
AEC-Q101 qualifié n
Gain stable maximum 13 dB à 900 MHz n
PL(1dB) 21,5 dBm à 900 MHz n
Technologie silicium fT 5 GHz
Informations d' épinglage du BFU590GX
| Épingle | Description | Aperçu simplifié | Symbole graphique |
| 1 | émetteur |  |  |
| 2 | base | ||
| 3 | émetteur | ||
| 4 | collectionneur |
Applications BFU590GX
Applications automobiles m
Amplificateurs à large bande n
Amplificateurs de puissance moyenne (500 mW à une fréquence de 433 MHz ou 866 MHz)
Grands amplificateurs de signaux pour les applications ISM
Spécification du BFU590GX
| Attribut du produit | Valeur d'attribut |
| Fabricant: | NXP |
| Catégorie de produit: | Transistors bipolaires RF |
| Type de transistors : | Large bande bipolaire |
| Technologie: | Si |
| Polarité des transistors : | NPN |
| Fréquence de fonctionnement: | 900 MHz |
| Collecteur CC/Gain de base hfe Min : | 60 |
| Tension collecteur-émetteur VCEO Max : | 16 V |
| Tension de base de l'émetteur VEBO : | 2 V |
| Courant collecteur continu : | 80 mA |
| Température de fonctionnement minimale : | - 40 °C |
| Température de fonctionnement maximale : | + 150°C |
| Configuration: | Célibataire |
| Style de montage : | CMS/CMS |
| Colis/Caisse : | SOT-223-4 |
| Emballage: | Bobine |
| Emballage: | Couper le ruban |
| Emballage: | SourisReel |
| Marque: | Semi-conducteurs NXP |
| Tension de base du collecteur VCBO : | 24 V |
| Gain de courant continu hFE Max : | 130 |
| Gain de bande passante produit fT : | 8,5 GHz |
| Courant maximum du collecteur CC : | 300 mA |
| Plage de température de fonctionnement : | - 40°C à + 150°C |
| Pd-Dissipation de puissance : | 2000 mW |
| Type de produit: | Transistors bipolaires RF |
| Quantité par paquet d'usine : | 1000 |
| Sous-catégorie : | Transistors |
| Taper: | Transistor RF à large bande |
| Numéro de pièce Alias : | 9.34068E+11 |
| Unité de poids: | 0,003447 once |
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