Поиск оптимальных материалов для широкозонных полупроводников

Широкозонные материалы стали пионерами в эпоху силовых устройств, изменив производительность и эффективность электронных систем. Кремний, традиционный полупроводниковый материал, имеет ограничения, которые становятся очевидными по мере роста требований к питанию. Материалы WBG, такие как карбид кремния и нитрид галлия, обладают высокой частотой переключения, низкими потерями и способностью работать при высоких температурах, что делает их идеальным выбором для силовых устройств.

Эта характеристика приводит к снижению потерь энергии и повышению удельной мощности, что делает устройства WBG идеальными для таких применений, как преобразователи мощности и инверторы в электромобилях и системах возобновляемых источников энергии. Уникальные электрические свойства материалов WBG открывают путь к созданию более компактной, легкой и эффективной силовой электроники, способствуя переходу к более экологичному и устойчивому энергетическому ландшафту. 

Кроме того, использование материалов ГВБ в силовых устройствах имеет глубокие последствия для аэрокосмической и телекоммуникационной отраслей. Высокочастотные возможности полупроводников WBG позволяют создавать более эффективную и компактную силовую электронику в спутниковых системах и устройствах связи. 

Благодаря неустанному спросу на миниатюризацию и повышение производительности материалы WBG служат катализаторами технологических достижений, продвигая отрасли в новую эру энергоэффективных и высокоскоростных электронных решений. Поскольку исследования и разработки в области материалов ГВБ продолжают процветать, интеграция этих материалов в силовые устройства может переопределить возможности и эффективность электронных систем в различных секторах.

Исследование превосходства и роли устройств WBG в моторных приводах

 

Моторные приводы, основной строительный блок электромеханических систем, являются сердцем, обеспечивающим бесшовное соединение машин и устройств. Моторные приводы регулируют скорость, крутящий момент и направление работы электродвигателей, преобразуя электрическую энергию в точное механическое движение, поэтому важно, чтобы эти приводы имели максимальную эффективность и точность. В результате устройства WBG интегрируются в электроприводы для многочисленных применений, таких как работа высокоскоростных двигателей, двигателей с низкой индуктивностью и электроприводов, работающих при высоких температурах. Например, двигатели с низкой индуктивностью могут использовать Si MOSFET, поскольку они способны переключаться на частоте до 50 кГц и обеспечивать желаемую пульсацию тока, что в конечном итоге повышает надежность и эффективность. Традиционным материалам, таким как кремний, не хватает необходимого критического электрического поля, как показано на рисунке 1, что делает устройства WBG идеальным выбором для электроприводов.

 

image 

Рисунок 1: Сравнение ключевых электрических параметров широкозонных материалов и кремния.

 

С другой стороны, популярность высокоскоростных электрических машин растет главным образом из-за их превосходной удельной мощности, что становится возможным за счет интеграции двигателя с компрессором через коробку передач. Поэтому были приняты во внимание высокочастотные способности SiC Mosfets, что в конечном итоге позволило двигателю работать на той же скорости, что и компрессор, тем самым исключив коробку передач. Одно только это нововведение повысило надежность и эффективность приводов на основе GaN примерно на 4 процента по сравнению с традиционными двигателями на основе Si. 

Полупроводники с более широкой запрещенной зоной могут работать при высоких температурах по сравнению с обычным кремнием. Интегрированные моторные приводы набирают большую популярность, поскольку они напрямую заменяют неэффективные онлайн-двигатели с прямым приводом, однако, поскольку преобразователь и двигатель находятся в непосредственной близости, температура находится на рекордно высоком уровне. Таким образом, разработка силовых модулей WBG с блокировкой высоких частот и обратного напряжения оказалась идеальным выбором для высокотемпературных приложений, таких как IMD.

Преодоление препятствий на пути к раскрытию максимального потенциала устройств с широкой запрещенной зоной в системах электропривода

 

Устройства с широкой запрещенной зоной оказались полезными для высокотемпературных, высокоскоростных двигателей с низкой индуктивностью, однако эти устройства генерируют значительные электромагнитные помехи, которые увеличиваются с увеличением частоты переключения. Сравнение характеристик кондуктивных электромагнитных помех для различных устройств с широкой запрещенной зоной показано на рисунке 2. Это ясно показывает, что во время переходных процессов в инверторе SiC JFET возбуждаются паразитные колебания, которые являются основным виновником шумовых характеристик и низкого КПД. 

 

image 

Рис. 2. Сравнение электромагнитных помех SiC MOSFET и электроприводов на базе Si IGBT.

 

Для решения этой проблемы для устройств WBG применяется несколько инновационных топологий подавления напряжения и фильтрации CM, которые значительно уменьшают образование электромагнитных помех. Кроме того, используется интеграция конфигурации статора с двойной обмоткой и топологии инвертора, как показано на рисунке 3. Этот метод специально настроен. для приводов двигателей с ШИМ с симметричными схемами компенсирует дополнительное напряжение CM, тем самым уменьшая общие электромагнитные помехи в системе.

 

image 

Рис. 3. Топология инвертора с подавлением напряжения новой конструкции CM с двухобмоточным статором.

Заключение

 

Устройства WBG служат важным инструментом для широкого спектра применений приводов двигателей, оказываясь особенно выгодными для двигателей с низкой индуктивностью, высокоскоростных двигателей и операций в высокотемпературных средах. Приложения с электроприводом значительно выиграют от внедрения устройств WBG, демонстрируя улучшение удельной мощности, динамического отклика и общей энергоэффективности. Однако для реализации максимального потенциала устройств WBG требуется сложная конструкция преобразователя. В частности, жизненно важно включение правильно спроектированных драйверов затворов, обеспечивающих быстрое переключение с минимальными перерегулированиями и потерями. 

Кроме того, конструкция преобразователя должна решать такие задачи, как минимизация паразитной индуктивности в контуре коммутации и реализация быстрой защиты от короткого замыкания для переключателей WBG. Эти соображения имеют решающее значение для оптимизации производительности и использования всех преимуществ устройств WBG в системах моторного привода.

Чтобы оправдать более высокую стоимость устройств с широкой полосой пропускания и полностью использовать их, их необходимо быстро переключать. Однако эти высокие скорости приводят к усилению электромагнитных помех. Это высокое изменение напряжения в двигателе также вызывает возникновение тока, называемого синфазным, который может повредить изоляцию двигателя. Если мы решим переключать устройства WBG на гораздо более медленных скоростях, это сохранит совместимость со стандартами изоляции, используемыми сегодня в двигателях. Таким образом, мы можем использовать методы управления электромагнитными помехами, аналогичные тем, которые мы используем в современных приводах на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором. Однако компромисс заключается в том, что более низкие скорости означают, что мы не в полной мере используем преимущества мощности и эффективности, которые предлагают устройства WBG, которые имеют решающее значение для уравновешивания более высокой стоимости этих устройств. Поэтому вводятся новые и инновационные технологии, такие как интеграция топологии инвертора и статора с двойной обмоткой, для уменьшения генерации электромагнитных помех при более высоких скоростях и напряжениях.



Related Articles

LD1117S50TR: Обзор, применение и техническое описание

Release time:2024-02-28       Page View:82
Фиксированная олово LD1117 PMIC 4 TO-261-4, TO-261AAСтабилизатор напряжения с низким падением напряжения LD1117 доступен в регулируемой версии (VREF = 1,25 В) и может обеспечивать выходной ток до 800 мА.Выходны...

Микроконтроллер STM32F407ZET6: особенности, применение и техническое описание

Release time:2024-02-27       Page View:89
512 КБ 512 КБ x 8 FLASH ARM® Cortex®-M4 32-битный микроконтроллер серии STM32F4 STM32F407 144 контакта 168 МГц 3,3 В 144-LQFP32-битный микроконтроллер с 512 КБ флэш-памяти и частотой 168 МГц называется STM32F407ZET6.В этой ст...

Трансивер ST3485EBDR: характеристики, применение и техническое описание

Release time:2024-02-27       Page View:80
8 клемм 3,3 В 16-контактный ST3485 Приемники 1 Биты 1/1 Драйверы/Приемники 1 ФункцииSTMicroelectronics ST3485EBDR — это устройство, которое можно использовать для протоколов связи RS-485 и RS-422.В этой статье будут пр...

Регулятор ST1S14PHR: характеристики, применение и техническое описание

Release time:2024-02-27       Page View:48
8 клемм 5,5 В 8-контактный ST1S14 Регулятор постоянного напряжения постоянного тока КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР 1 выход 850 кГц Ленточный и катушечный (TR) 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадкаSTMicroelec...

TOP249YN: Обзор, применение и техническое описание

Release time:2024-02-27       Page View:27
6 клемм 6-контактный преобразователь переменного тока в постоянный ток TOPSwitch®-GX Series 1 Выходы 66–132 кГц Мин. 85 В В Макс. 265 В ВИспользуя ту же проверенную архитектуру, что и TOPSwitch, TOPSwitch-GX объединя...

Микросхема NC7WZ16P6X: особенности, применение и техническое описание

Release time:2024-02-27       Page View:46
ДВОЙНОЙ буфер, неинвертирующий Двухтактные буферы 1,65–5,5 В Серия 7WZ 7WZ16 1 бит на элемент 32 мА 32 мА 6-TSSOP, SC-88, SOT-363ON Semiconductor NC7WZ16P6X — это интегральная схема с двойным буфером, принадлежащая к се...

W25Q16JVSNIQ: обзор, функции и приложения

Release time:2024-02-27       Page View:55
Микросхема памяти SpiFlash® Серия SpiFlash® 4,85 мм ммСистемы с ограниченным пространством, контактами и питанием могут извлечь выгоду из решения хранения данных, предлагаемого последовательной флэш-па...

Поиск оптимальных материалов для широкозонных полупроводников

Release time:2024-01-23       Page View:158
В течение долгого времени кремний был лучшим выбором для изготовления электронных устройств, поскольку он обеспечивает дешевизну и высочайшую эффективность и производительность.Несмотря на то, ...

POWERSTEP01: Обзор, функции и приложенияPOWERSTEP01: Обзор, функции и приложения

Release time:2024-01-23       Page View:83
Драйверы двигателей 11 мм мм 89 3,3 ВВ 14 мм ммpowerSTEP01 — это система в корпусе, которая сочетает в себе программируемый контроллер SPI и восемь N-канальных МОП-транзисторов с сопротивлением 16 мОм для ша...

Микросхема W25Q256JVEIQ: характеристики, применение и техническое описание

Release time:2024-01-23       Page View:169
ИС памяти SpiFlash® Серия SpiFlash® 8 мм ммWinbond Electronics W25Q256JVEIQ — это микросхема флэш-памяти, способная хранить до 256 мегабит данных.В этой статье будут представлены его функции, приложения и техническо...

XCF04SVOG20C: обзор, функции и приложения

Release time:2024-01-22       Page View:95
Поверхностный монтаж, 4 МБ, инструкции по настройке трубки для FPGA 3 (168 часов), программируемый в системе, активный XCF*SЛиния программируемых внутрисистемных программируемых конфигурационных пр...

STM8S003F3P6TR: обзор, функции и приложения

Release time:2024-01-22       Page View:91
8 КБ 8K x 8 FLASH STM8 8-битный микроконтроллер серии STM8S STM8S003 20 контактов 16 МГц 3,3 В 20-TSSOP (0,173, ширина 4,40 мм)В дополнение к встроенной EEPROM с истинными данными, 8-битные микроконтроллеры линейки ...
RFQ
BOM